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第4章 電遷移
在微電子器件中,金屬互連線大多采用鋁膜。只是因?yàn)殇X具有一些優(yōu)點(diǎn),如導(dǎo)電率高,能與硅材料形成低阻的歐姆接觸,與二氧化硅層等介質(zhì)膜具有良好的粘附性和便于加工等。但是使用中也存在一些問(wèn)題,如性軟,機(jī)械強(qiáng)度低,容易劃傷;化性活潑,易受腐蝕;在高電流密度時(shí),抗電遷移能力差。在電路規(guī)模不斷擴(kuò)大,器件尺寸進(jìn)一步減小時(shí),互連線中電流密度在上升,鋁條中的電遷移現(xiàn)在更為嚴(yán)重,成為VLSI中的一個(gè)主要可靠性問(wèn)題。
4.1 電遷移原理
當(dāng)器件工作時(shí),金屬互連線的鋁條內(nèi)有一定電流通過(guò),金屬離子沿導(dǎo)體產(chǎn)生質(zhì)量的輸運(yùn),其結(jié)果會(huì)使導(dǎo)體的某些部位產(chǎn)生空洞或晶須(小丘),這即電遷移現(xiàn)象,在塊狀金屬中,其電流密度較低(小于102A/cm2),電遷移現(xiàn)象只在接近材料熔點(diǎn)的高溫時(shí)才會(huì)發(fā)生,薄膜材料則不然,淀積在硅襯底上的鋁條,截面積很小和良好的散熱條件,電流密度可高達(dá)107A/cm2,所以在較低的溫度下就會(huì)發(fā)生電遷移。
在一定的溫度下,金屬薄膜中存在一定的空位濃度,金屬離子通過(guò)空位而運(yùn)動(dòng),但自擴(kuò)散只是隨機(jī)地引起原子地重新排列,只有受到外力時(shí)才可產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)。通電導(dǎo)體中作用在金屬離子上的力F有兩種:一種是電場(chǎng)力Fq,另一種是導(dǎo)電載流子和金屬離子間互相碰撞發(fā)生動(dòng)量交換而使離子產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)的力,這種力叫做摩擦力Fe。對(duì)鋁、金等金屬膜,載流子為電子這時(shí)電場(chǎng)力Fq很小,摩擦力起主要作用,離子流與載流子運(yùn)動(dòng)方向相同。這一摩擦力又稱"電子風(fēng)"